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理就是：利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率，而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现光刻技术…
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根据以上的数据，浸入式光刻机，可以说属于轻微地改进，能产生巨大的经济效应，其光刻机的产品成熟度是非常高的，
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不过，顺便说一下，由米国组织euvllc联盟，是在2003年，这个euvllc联盟解散，也就是说，这个联盟只是存在了6年。
当时尼康光刻机是没有进入euv联盟，米国认为这是米国的高科技，怎么能分兴给外国企业…。
具体原因还是当时米国半导体，甚至是光刻机svg公司、被曰本公司，尼康公司打得落花流水，所以，担心曰本企业强大，米国拒绝尼康公司加入euv协会…。
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虽然说，as加入euv联盟，但是，并没有立即研发出euv光刻机
因为在90年代，as还是一家小公司，每年的盈利是非常少，而研发euv光刻机，其每年研发的费用高达10亿美金，所以，在90年代，as根本没有实力研发euv光刻机，
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而是跟随尼康光刻机的脚步，也从事157n发，as收购米国光刻机svg公司，获取了反射技术，2003年出品了157n器…，很显然，在最后，不论技术，还是成本完败于低成本的浸入式193n
不过，根据21世纪网络新闻记载，在2002年，台积电公司林本坚，在一次技术研讨会上提出了浸入式193n方案，
随后，林本坚带着浸入式193n方案，跑遍米国，曰本，德国光刻机公司，说服大厂们采用“浸入式光刻”方案，基本都是被拒绝。因为以上的公司正在研发157n那么。现在研发浸入式193n就意味着之前的巨量研发都打水漂，
最后，林本坚找到as，由于当时as公司在光刻机占有率很少，所以，决定了研发浸入式193n
as在一年的时间内就开发出样机，充分证明了该方案的工程技术和成本，远远优于157n2…。
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就这样，as正式一步步成为光刻机第一，并且，积累了原始的资金后，as正式在2007年，启动euv光刻机研发，
在3年后，也就说2010年诞生的第一台euv光刻机的研发用样机：nxe3100。
2012年，as请英特尔、三星和台积电入股，希望大家共同承担euv光刻机研发工程，因为每年的euv光刻机的研发费用，需要每年10亿欧元。
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虽然说尼康被迫随后也宣布去做浸入式光刻机，但是，在光刻领域是赢家通吃，这是因为新产品总是需要至少1-3年时间，与芯片制造工厂在技术上之间磨合。
那么，as比尼康公司，提前2年时间，去改善问题和提高良率，最后导致尼康光刻机从2000年的市场占有率第一，到了2009年市场占有率不到30%，到了2020年，就更不用说了，只有10%，且尼康光刻机产品只是用在低端的芯片工艺制程…。
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在1999年9月，这3篇论文不到2万字，关于浸入式光刻机，迅速地引起了全球的专家和公司的注意，
其原因就是李飞的身份，是大深市芯片产业有限公司的创始人，世界蓝牙技术协会会长，再加上研发出划时代的3，u盘…等产品，
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在尼康公司光刻机部门，正在召开会议，商讨浸入式光刻机技术可行…。